MEMS存储器密度将达到每英寸1TB
九 24th, 2009 | By wang-zf | Category: 科技动态虽然计算机的存储容量在不断增加，但很长一段时期，存储介质材料却没有本质的变化。韩国科学家的一项突破性研究，将可能引起一场存储革命。
科学家发明了一种可以实现“千足”存储的新材料。“千足”存储是一种超高密度存储机制，允许每平方英寸中存储1TB的信息。“千足”存储10年前就已经提出，由于需要极高的温度才能运行，到现在一直没能实现。这种新材料的发现将能实现“千足”存储，意味着橡皮擦大小面积的存储能力将比最大的iPod还要大。
“千足”存储和模拟的磁带录放机的工作机理相仿，用一个超级精密的针尖，在材料表面上刻上凹槽，然后顺着这些凹槽读取。之前IBM研制的“千足”系统，需要极高的温度来烧蚀凹槽，改写数据需要同样的热量。
韩国浦项科技大学的这项突破使用了一种特殊聚合物——“Baroplastic”。Baroplastic通常十分坚硬，但可以用压力将其软化。该系统中，压力代替热量来读写“千虫”存储芯片，可以在室温下实现。
不过，这也会带来一些其他问题。软化Baroplastic需要很大的压力，会引起针尖的磨损，频繁更换针尖将使这一存储系统的实用性大大折扣。幸好，正在研究的一种结合了Baroplastic和其他材料的多层复合材料，所需要的压力更小，给上面的问题带来希望。
